产品展示
声明：文档由AI生成，仅作参考，最终产品规格及服务标准以官方为准。
一、企业概述
英飞凌科技股份公司是一家总部位于德国慕尼黑的半导体公司，主营功率系统与物联网领域的半导体解决方案，主要产品包括汽车电子半导体、工业功率半导体、电源与传感系统半导体及安全互联系统半导体，成立于1999年。
二、关于我们
英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）成立于1999年4月1日，总部位于德国慕尼黑，前身为西门子集团半导体部门。公司自2000年3月起在法兰克福证券交易所上市，股票代码IFX，并在OTCQX以代码IFNNY交易。截至2024财年（截至2024年9月30日），英飞凌在全球拥有约58,060名员工，设有71个研发基地和15个制造基地。2024财年，公司实现营业收入约149.55亿欧元。
英飞凌业务划分为四大事业部：汽车电子（Automotive）事业部，负责汽车电子半导体产品与解决方案；绿色工业功率（Green Industrial Power）事业部，专注于工业应用的功率半导体；电源与传感系统（Power & Sensor Systems）事业部，面向电源供应、智能传感与移动设备等应用；安全互联系统（Connected Secure Systems）事业部，涵盖无线连接、安全解决方案及微控制器。产品组合覆盖硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）三种功率半导体材料技术。
发展历程：
- 1995年：英飞凌（时为西门子半导体部门）在无锡设立工厂，从事半导体后道封装。
- 1999年4月：英飞凌科技股份公司在德国慕尼黑正式成立，从西门子集团分拆独立。
- 2000年3月：在法兰克福证券交易所及纽约证券交易所上市。
- 2003年：英飞凌上海办公室成立，启动大学计划。
- 2008年：无锡工厂扩建。
- 2014年：英飞凌中国物流中心落户上海自贸区。
- 2018年：英飞凌大中华区成立；与上汽集团成立合资企业上汽英飞凌。
- 2020年：无锡产线扩建，成为英飞凌全球最大的IGBT模块生产制造中心之一。
- 2021年：在深圳设立大中华区智能应用能力中心。
- 2023年：英飞凌中国物流中心升级；英飞凌大学计划项目实施20年。
- 2024年：英飞凌科技（上海）有限公司正式运营；在上海设立首个向客户开放的电源应用实验室；开发出全球首款12英寸氮化镓功率晶圆技术。
- 2025年：公布“在中国，为中国”本土化战略。
- 2026年7月：位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂（Smart Power Fab）提前投产，总投资50亿欧元，新增1000个直接就业岗位，德累斯顿基地产能实现翻番。
三、产品中心
官网产品中心涵盖功率半导体、汽车半导体、传感器、微控制器、安全芯片及无线连接等多个品类。以下汇总官网已公示的主要产品线及代表产品。
| 产品名称 | 产品类别 | 核心功能/用途 |
|---|---|---|
| IGBT分立器件（TRENCHSTOP™系列） | 功率半导体 | 用于汽车及工业应用的开关与功率转换，涵盖600V至750V电压等级，支持高频开关应用 |
| EconoDUAL™3模块 | 功率半导体模块 | 采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4与第三代发射极控制二极管，适用于工业驱动、新能源等场景 |
| EconoPACK™+模块 | 功率半导体模块 | 集成IGBT4与发射极控制二极管，带pressfit压接管脚和温度检测NTC，用于工业功率转换 |
| 汽车级IGBT | 汽车半导体 | 符合汽车级认证标准，用于电动汽车动力系统及车载功率电子 |
| 微控制器（MCU） | 嵌入式控制 | 用于汽车、工业自动化、家电及物联网设备中的实时控制 |
| 传感器 | 传感器 | 涵盖磁性、压力、温度、惯性等类型，用于汽车及工业检测与控制 |
| 安全芯片 | 安全IC | 用于SIM卡、支付系统、电子护照、身份认证及平台安全应用 |
| 无线连接产品 | 连接芯片 | 涵盖Wi-Fi、蓝牙低功耗（BLE）、NFC等无线通信技术 |
重点产品说明
EconoDUAL™3模块（型号示例：F4-100R17ME4_B11）
该模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4芯片与第三代发射极控制二极管。主要规格参数包括：集电极-发射极电压1700V；连续直流集电极电流100A（Tc=80℃，Tvj max=175℃），155A（Tc=25℃，Tvj max=175℃）；集电极重复峰值电流200A（tp=1ms）；栅极-发射极峰值电压±20V；集电极-发射极饱和电压典型值1.95V（Tvj=25℃）。
EconoPACK™+模块（型号示例：FS300R17OE4_B81）
该模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4与第三代发射极控制二极管，带pressfit压接管脚及温度检测NTC。集电极-发射极饱和电压典型值1.95V（Ic=300A，VGE=15V，Tvj=25℃）；栅极阈值电压典型值5.80V；内部栅极电阻2.5Ω；输入电容24.3nF。