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AMD推出Versal TR防篡改器件,内置芯片背面物理攻击防护

AMD|阅读 0
2026/11/12 23:00
原文链接:https://newsroom.amd.com/news/amd-advances-built-in-protection-physical-attacks-security-critical-systems/
AMDVersal TR防篡改物理攻击防护后量子密码
AMD推出Versal TR防篡改器件,内置芯片背面物理攻击防护
AMD发布Versal防篡改器件系列,采用3D主动堆叠技术实现业界首款内置芯片背面物理攻击防护的自适应SoC,集成后量子密码加速,预计2027年下半年出样。

声明:文档由AI根据原文生成。

AMD Versal AI Edge Gen 2 TR

首款内置芯片背面防护的自适应SoC

2026年11月12日,AMD宣布推出Versal™防篡改(Tamper-Resistant,TR)器件系列。该系列在保持Versal™ AI Edge第二代高性能异构处理能力的同时,针对安全关键型信息提供对抗复杂物理攻击的防护能力。

Versal TR器件采用3D active-on-active技术,将基于传感器的防护裸片与主计算裸片键合,覆盖器件整个背面。该设计可检测物理攻击,并在防护裸片遭篡改或移除时阻止启动。结合嵌入式CPU、AI引擎与可编程逻辑,客户无需在系统性能、尺寸、重量、功耗或上市时间方面做出妥协,即可强化安全关键信息的保护。

异构计算与多层防护整合

当前,数据中心网络、金融科技、国防系统及关键工业基础设施等领域的客户若需更高等级的器件安全,通常需自行构建定制方案,采用机械外壳、ASIC及其他组件,这将带来开发成本、专业人才、验证工作量及重新流片风险。

Versal TR器件将异构计算与增强安全特性整合于单芯片,包括:

  • 后量子密码硬件加速扩展:新增对模块格数字签名算法(ML-DSA)及无状态哈希数字签名算法(SLH-DSA)的支持;
  • 混合启动流程:允许用户利用多种签名算法;
  • 密钥与存储防护:应用安全单元(ASU)密钥库改进,以及新型存储元件老化传感器(MEAS)为密码密钥提供额外保障;
  • 毛刺检测增强:结合Versal架构毛刺检测器改进与新型正交毛刺检测器,覆盖双电压轨同时发生的毛刺。

该系列基于Versal AI Edge第二代自适应SoC,集成Arm® CPU、AI引擎、可编程逻辑、硬核IP及连接接口,标量计算性能最高达229,000 DMIPS,INT8算力最高369 TOPS,LUT数量最高543,000。

产品阵容包括2VE3358TR、2VE3558TR、2VE3858TR三款器件,覆盖不同性能与成本需求。每款均有引脚兼容的标准版 counterparts 现已供货,客户可先基于标准Versal平台开发,再低工作量迁移至TR版本,无需重新综合或布局布线。

上市时间

首批Versal TR器件预计2027年下半年出样,2028年上半年进入量产。客户现可选用引脚等效的标准Versal AI Edge第二代器件进行评估与设计构建,后续直接迁移至对应防篡改版本,保持高性能设计不变。